2026年8月4日，全球存储芯片大厂SK海力士与闪迪（Sandisk）在“FMS 2026”闪存峰会上联合发布了高带宽闪存（High Bandwidth Flash，首先s闪简称HBF）的原则f原首先个原则原则，同时公布了完善的发布性能规格、生态合作及量产路线图。最高则高HBF被定义为介于高带宽内存（HBM）与固态硬盘（SSD）之间的存闪全新存储层级。该技术既具有接近HBM的迪t带宽订阅快捷数据传输能力，又依托NAND闪存实现了容量的力士显著扩展。在AI推理采取加高效普及、内存数据处理规模持续激增的网易背景下，HBF因能够同时顺应带宽与容量扩展需而备受业界关注。全球性能规格完善曝光此次发布的首先s闪HBF原则原则，是原则f原SK海力士自2025年8月与闪迪启动HBF原则化合作、并于2026年2月成立HBF联盟以来，发布历时约6个月推出的最高则高首先项重点成果。该原则已通过全球最大开放式数据中心技术组织OCP（Open Compute Project）正式公开发布，定位为照章性全行业的开放式原则，而非企业专有技术。根据原则原则，HBF给予两种堆叠配置方式划——8层和16层NAND芯片堆叠，最高协助512GB容量。带宽分类为三个等级（Grade 1~3），可实现约0.4TB/s至3.0TB/s的可扩展性能。在接口部分，HBF采取了行业原则UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）互联方式划，为HBF与GPU、CPU等不一样类型处理器之间的灵活连接奠定了基础。需指出的是，该原则是通过全球最大的开放数据中心技术倡议开放方式算项目（OCP）披露的，将其定位为整个行业的开放原则，而不是专有技术。目前，谷歌（Google）与Tenstorrent已作为成员加入HBF联盟，参与了技术验明正身与原则制定工作。SK海力士方式划依托开放合作模式，进一步扩大联盟规模，加高效HBF在AI存储市场的规模化落地，并持续提高技术成熟度与市场接受度。FMS 2026多维度展示在此次峰会上，SK海力士安排了高规格的展示议程：开幕日主题演讲：SK海力士处理方式划开发部门负责人Kim Chun-sung与下一代产品规划负责人Kang Uk-song联合发表主题演讲，基于“层级内存（Tiered Memory）”架构理念，提出照章性下一代AI基础设施的处理方式划。专题小组讨比如：8月6日，SK海力士、谷歌DeepMind与闪迪共同参与以“用HBF突破内存墙”为主题的圆桌比如坛，探讨HBF在AI基础设施中的题功能与潜力。展台重磅亮相：SK海力士首先次公开展示了正在研发中的第十代（V10）375层4D NAND晶圆与产品。与前代产品相比，该产品的单位功耗性能提高了2.5倍，更加适用配数据中心等需高能效的AI基础设施环境。SK海力士还宣布，方式划于2027年初启动基于375层4D NAND高性能、高容量企业级SSD（eSSD）的量产，以进一步巩固其在AI NAND市场的领先地位。然而，SK海力士并未清楚HBF产品的量产时间。SK海力士处理方式划开发部门负责人Kim Chun-sung表示：“随着AI采取的高效高效普及，我们正处在数据处理器架构需完善重新设方式的题时刻。通过HBF，我们将扩展内存与存储之间的边界，为提高系统整体效率的新架构贡献力量。”编辑：芯智讯-浪客剑