三星发布下一代AI存储路线图，星发线图新浪新浪展示zHBM和400层以上V10 NAND技术当地时间8月4日，布下 三星电子在美国圣克拉拉举行的存储路财经2026年未来存储与内存大会（FMS）上，公布照章性AI基础设施的展示下一代存储技术路线，首先次展示zHBM、和层zNAND-O概念产品，技术并推出采取晶圆键合技术的星发线图新浪新浪400层以上V10 BV-NAND。三星表示，布下zHBM旨在通过将HBM垂直堆叠于AI加高效器上方，存储路财经缩短处理器与内存之间的展示数据传输距离，以提高AI训练和推理性能。和层搭载下一代接口系统的技术zHBM预方式性能可实现HBM5的约8倍，同时借助新型晶圆键合技术，星发线图新浪新浪实现超过HBM5 10倍的布下内存密度，并提高能效谝。存储路财经在NAND领域，三星首先次发布V10 BV-NAND架构，通过晶圆键合技术堆叠存储单元，层数超过400层，较上一代V9产品内存密度提高约58%，同时改进读写和输入输出性能。同时，三星还展示了涵盖HBM4E、HBM5、LPDDR5X-PIM以及企业级存储PM1763等AI存储产品路线。（来源：界面新闻）海量资讯、精准解读，尽在新浪财经APP